RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
63
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3112
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link