RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
14.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3409
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link