RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
17.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
4033
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link