RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
22.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
63
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
22.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
20.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
4051
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link