RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
63
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3045
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link