RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
65
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.5
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
5.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1981
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link