RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Vergleichen Sie
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Gesamtnote
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
35
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1990
2091
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB RAM-Vergleiche
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link