RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
76
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,944.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,973.0
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,944.9
6.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
673
1260
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link