RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
68
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,944.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,973.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,944.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
673
2341
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link