RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
63
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1863
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link