RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
66
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1877
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link