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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2319
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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