RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1651
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link