RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2575
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link