RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
50
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2768
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link