RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
50
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2946
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link