RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
41
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2028
2971
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link