RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2376
3546
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link