RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Vergleichen Sie
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1989
3579
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link