RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3080
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Mushkin 991586 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link