RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
53
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3187
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link