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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
53
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3711
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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