RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
53
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2254
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link