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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Gesamtnote
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2180
3217
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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