RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
96
Rund um -146% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2852
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link