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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2354
2869
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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