RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
33
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3290
2913
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link