RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3096
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link