RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
9.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
2361
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link