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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
3000
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
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