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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
3075
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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