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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
94
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,782.3
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
94
52
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
4,497.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
1,782.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
685
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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