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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
94
En -154% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
37
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3448
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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