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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
94
En -224% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
29
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3781
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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