RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
94
En -194% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
32
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3306
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link