RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
94
En -262% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
26
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3857
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link