RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
94
En -292% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
24
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2462
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link