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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
94
En -169% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
35
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2336
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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