RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
94
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
36
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2490
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link