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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Compara
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2477
2283
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
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