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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
3034
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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