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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
47
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
47
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2308
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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