RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
50
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
50
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2064
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link