RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
3106
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link