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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
41
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
2044
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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