RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2830
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
INTENSO 5641160 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link