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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
3087
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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