RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2659
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link