RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
47
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2362
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link