RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
39
En -8% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
36
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3046
2569
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link